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Toshiba desarrolla la memoria más rápida del mundo |
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El nuevo chip lleva el almacenamiento FeRAM al nivel de los 64 megabits y aumenta la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo, la combinación más avanzada jamás lograda.
Fabricada con tecnología de procesos CMOS de 130 nanómetros, la FeRAM de 64 megabits está basada en la arquitectura chainFeRAM de Toshiba, que reduce el tamaño de la celda de memoria. También, integra un circuito optimizado diseñado para reducir el área de circuitos y el ruido durante la operación de lectura, y ECC, un circuito de detección y corrección de errores de alta velocidad que aseguraría la confiabilidad de los datos con una operación de alta velocidad, incluso en condiciones de operación severas.
La clave para el incremento en desempeño es la adopción del modo de ráfaga para transferencias de datos de alta velocidad. Su exitosa integración eleva la velocidad de lectura y escritura a 200 megabytes por segundo – la velocidad más rápida de cualquier FeRAM.
Principales especificaciones:
Proceso: CMOS de 130 nanómetros
Densidad: 64 megabits
Tamaño de la celda: 0.7191 um 2
Tiempo del ciclo: 60 nanosegundos
Velocidad de Escritura/lectura (ancho de banda): 200 megabytes/segundo
Voltaje de Suministro de Energía: 3.3V, 2.5V.
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